Gözenekli grafit

Gözenekli grafit esas olarak PVT (fiziksel buhar transferi) silisyum karbür (SiC) tek kristal büyüme sürecinde kullanılır, yüksek sıcaklık termal alan sisteminin çekirdek malzemesidir. Ürün, hassas CNC işleme ve gözenek kontrol teknolojisi aracılığıyla tekdüze ve kontrol edilebilir bir gözenekli yapı oluşturan ultra yüksek saflıkta izostatik olarak preslenmiş grafitten yapılmıştır ve aşırı işlem koşullarında (2200℃) mükemmel performans sağlar. Benzersiz tasarımı termal alan tekdüzeliğini önemli ölçüde iyileştirir ve yüksek kaliteli SiC kristal büyümesi için önemli bir garanti olan gaz fazı transfer verimliliğini optimize eder.

Temel özellikler ve süreç avantajları:

Aşırı saflık ve düşük kusur oranı

Vakum yüksek sıcaklık arıtma işlemi (3000℃ işlem), oksijen ve nitrojen gibi metalik olmayan safsızlıkların içeriğini daha da azaltmak için kullanılır. SiC tek kristallerinin elektriksel performans tutarlılığını sağlamak için safsızlık kaynaklı kristal kusurlarını (mikrotübüller, çıkıklar gibi) ortadan kaldırın.

Ultra yüksek sıcaklık kararlılığı ve termal alan kontrolü

Argon/vakum ortamında, 2200 saatten fazla 1000℃ sürekli çalışmaya dayanabilir, düşük termal genleşme katsayısına sahiptir ve termal stresten kaynaklanan malzeme çatlamalarını önler.

Gözeneklilik, gözenek boyutunu (10-200 μm) optimize etmek, termal alan dağılımını doğru bir şekilde düzenlemek, sıcaklık gradyanı dalgalanmasını azaltmak (±3℃ içinde) ve kristal büyüme düzgünlüğünü iyileştirmek için CFD simülasyonuyla birleştirilmiş gradyan dağılım tasarımını destekler.

Özelleştirilmiş çözümler

Geometrik adaptasyon: Müşteri fırın yapısına uygun karmaşık şekil işlemeyi (halka şeklinde pota, çok katmanlı kalkan gibi) destekler.

Yüzey işleme: Korozyon direncini ve hizmet ömrünü artırmak için ultra hassas parlatma veya kaplama hizmetleri sağlayın.

Uygulama performans doğrulaması

PVT SiC kristalizasyon prosesinde, pota ve termal alan bileşeni olarak:

Kristal büyüme hızını %15-20 oranında artırır (geleneksel grafit ile karşılaştırıldığında);

Wafer verimi %90'ın üzerine çıkarıldı (4 inç SiC tek kristal);

Ekipmanların bakım süresi 6 aya (normalde 3 ay) uzatıldı.

Hızlı Detay:

1. Diğer adları: PVT grafit pota, gözenekli grafitli silisyum karbür büyümesi.

2. Uygulama: PVT yöntemi (fiziksel gaz taşıma yöntemi) SiC tek kristal büyüme çekirdeği termal alan bileşeni.

3. Çekirdek parametreleri: saflık ≥%99.9995, gözeneklilik 15-30%, sıcaklık direnci 2200℃ (inert gaz ortamı), ısıl iletkenlik 100-150 W/m·K.

PVT büyütme fırını düzeneği: SiC malzeme süblimasyonu ve kristal büyümesinin bir parçası olarak, kararlı bir termal alan dağılımı sağlar.

Termal alan koruma bileşeni: Gözenekli yapı termal stresi etkili bir şekilde azaltır ve ekipmanın kullanım ömrünü uzatır.

Tohum kristal braketi: Kristalin yönlü büyümesini sağlamak için tohum kristalini desteklemek üzere yüksek mekanik mukavemet.

Gaz difüzyon tabakası: Gaz fazı transfer verimliliğini optimize edin, tek kristal kalitesini ve büyüme hızını iyileştirin.

Ultra yüksek sıcaklık performansı: 2200℃'de yumuşama deformasyonu olmaz, 1000 saatten fazla sürekli kararlı çalışmayı destekler.

Özel termal alan tasarımı: Gözenek gradyanını optimize etmek, kristal düzgünlüğünü ve verimini artırmak için CFD simülasyonuyla birleştirildi.

Hızlı yineleme hizmeti: 72 saat içinde süreç parametresi eşleştirme testi sağlayın ve prototip çözümü teslim edin.