EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
SiC kaplama Grafit Namlulu Suseptör
Hızlı Detay:
1. Diğer isimler: Epitaksiyel fırın grafit namlusu, SiC kaplı gofret tepsisi, gofret alıcı namlu tipi, grafit alıcı
2. Uygulama: Gofret epitaksiyel büyüme süreci için
3. Çekirdek parametreleri: Reaksiyon odasındaki gaz akış alanı ve termal alanın homojenliği, 1600℃ sıcaklık direnci, 300W/m·K termal iletkenlik ve ≥%99.9995 saflık ile kimyasal buhar biriktirme (CVD) SiC kaplama teknolojisi ile birleştirilmiş izostatik basınç yüksek saflıkta grafit matris kullanılarak optimize edilebilir ve epitaksiyel tabakanın kusur yoğunluğu
Önemli ölçüde azaltılmış.
Açıklama
SiC kaplama Grafit Gofret Epitaksi Namlu Suseptörü, Si epitaksiyel büyüme ekipmanı için temel sarf malzemesidir ve tasarımı, grafitin yüksek termal iletkenliğini SiC kaplamaların aşırı korozyon direnciyle birleştirir. Alt tabaka, izostatik presleme işlemiyle oluşturulmuş yüksek saflıkta bir Sigley grafitidir (saflık ≥%99.9995). 50μm yoğunluklu β-SiC kaplaması, CVD işlemiyle yüzeye biriktirildi. Yüksek sıcaklıkta (1200-1800℃) ve agresif gazlarda (SiH gibi) grafit matrisinin safsızlık salınımını etkili bir şekilde engeller4, Cı3H8ve H2), gofret kontaminasyonunun önlenmesi. Namlu tasarımı (4/6/8 inç ekipman için) Hava akış yolu ve termal alan dağılımının optimize edilmesiyle, epitaksiyel tabakanın kalınlık düzgünlüğü ±%1.5 içinde kontrol edilir ve kusur yoğunluğu < 0.05 cm'ye düşürülür-2Ek olarak, SiC kaplamanın ve grafit matrisin termal genleşme katsayısı oldukça uyumludur (4.5×10-6/K vs 4.8×10-6/K), yüksek sıcaklık stresinden kaynaklanan kaplama çatlaması veya parçacık dökülmesini önler ve ekipmanın uzun vadeli istikrarlı çalışmasını sağlar. Bileşen, Çin'deki önde gelen yarı iletken üreticilerinin gofret epitaksi üretim hattına uygulandı, tek fırınlı epitaksi maliyeti %40 oranında düşürüldü ve cihaz verimi %98'e çıkarıldı.
Gözleme suseptöre kıyasla fıçı tipi suseptör
| Karakter | Namlu Tipi Susceptor | Gözleme Susceptor |
| Sıcaklık homojenliği | Dikey hava akışı ve radyasyon simetrisi nedeniyle biraz daha düşük düzgünlük (karmaşık sıcaklık telafisi gerekir). | Isıl alan simetrisi yüksektir ve düzlemdeki sıcaklık homojenliği daha iyidir. |
| Gaz akış verimliliği | Hava akışı namlu duvarı boyunca spiral şeklinde ilerler ve kenar plakaları kolayca aşındırılır/biriktirilir. | Akış, gofret yüzeyine dik olarak gerçekleşir ve akış ve yönü kolayca kontrol edilebilir. |
| Kapasite ve maliyet | Yüksek verim, seri üretime uygun (birim zamanda yüksek sayıda gofret). | Düşük verim, Ar-Ge/küçük parti üretimine uygundur. |
| Bakım karmaşıklığı | Yapısı karmaşıktır, temizlenmesi ve değiştirilmesi uzun zaman alır. | Açık tasarım, kolay bakım. |
Özellikler
| CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri | |
| Varlığınızı | Tipik değer |
| Kristal yapı | FCC β fazı polikristalin, esas olarak (111) yönelimli |
| Yoğunluk | 3.21 g / cm³ |
| Sertlik | 2500 Vickers sertliği (500g yük) |
| Tane büyüklüğü | 2 ~ 10μm |
| Kimyasal Saflık | 99.99995% |
| Isı kapasitesi | 640 J·kg-1·K-1 |
| Süblimleşme Sıcaklığı | 2700 ℃ |
| Bükülme mukavemeti | 415 MPa RT 4 nokta |
| Gencin modülü | 430 Gpa 4pt dirsek, 1300℃ |
| Termal iletkenlik | 300W·m-1·K-1 |
| Termal Genleşme (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Başvurular
Silisyum epitaksi/CVD proseslerinde kullanılır.
Geleneksel LPE veya CVD cihazlarında (erken dönem Aixtron sistemleri gibi) en çok kullanılanlardır.
Rekabet Avantajı
Aşırı korozyon ortamına dayanıklılık: β-SiC kaplama, plazma erozyonuna ve oksidasyona dayanıklıdır ve ömrü kaplanmamış grafitten 5 kat daha uzundur.
Hassas termal alan kontrolü: namlu yapısı türbülansı azaltır, termal iletkenlik alt tabaka ile uyumludur ve termal stres arızasını önler.
Sıfır kontaminasyon riski: ultra yüksek saflıkta substrat ve kaplama, metal safsızlıkları (Fe, Al) içeriği < 0.1 ppm.
Tüm süreç hizmeti: matris işleme, kaplama biriktirme, performans testi tek elden teslimat desteği.
