EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
TaC Planet Epi Süsseptörü
| Menşe Yeri: | Çin |
| Marka adı: | Yarıxlab |
| Model numarası: | TPES0001 |
| sertifikasyon: | ISO 9001 |
| Minimum sipariş miktarı: | 1pc |
| Fiyat: | özelleştirilmiş |
| Paketleme Detayları: | Standart ihracat kutusu |
| Teslim Süresi: | 30-45days |
| Ödeme Koşulları: | Müzakere edilecek |
| Yetenek Kaynağı: | Ayda 200 adet |
Açıklama
Aixtron planet diski, esas olarak silisyum karbür (SiC) epitaksiyel levhaların büyüme sürecinde kullanılan metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) ekipmanında önemli bir yatak bileşenidir. Çekirdek yapısı, yüksek saflıkta grafit malzeme + tantal karbür (TaC) kaplamanın kompozit tasarımını benimser.
Hızlı Detay:
1. Diğer isimler: Aixtron gezegen diski, TaC kaplı gezegensel tutucu, Aixtron reaktörü için SiC Epi tutucu
2. Uygulama: Yüksek performanslı silisyum karbür (SiC), galyum nitrür (GaN) ve diğer üçüncü nesil yarı iletken epitaksiyel işlemleri için.
3. Temel parametreler:
Kaplamanın buharlaşması sonucu reaksiyon haznesinin kirlenmesini önlemek için yapı 2000℃'de stabil kalır.
SiH₄ ve HCl gibi öncül gazların aşınmasına karşı etkili direnç. Alt tabakadaki yüzey kusurlarını azaltır.
Grafit + TaC kompozit yapının ısıl iletkenliği, SiC yonga (SiC: 490 W/m·K) ile yakın olup, ısıl stresten kaynaklanan kafes bozulmasını azaltmaktadır.
TaC kaplamanın yüzey pürüzlülüğü < 1μm olup, bu da mikro parçacıkların düşmesini engelleyebilir ve epitaksiyel tabakanın yüzey kalitesini (kusur yoğunluğu < 0.5/cm²) garanti edebilir.
Ürüne Genel Bakış
Aixtron planet diski, esas olarak silisyum karbür (SiC) epitaksiyel levhaların büyüme sürecinde kullanılan metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) ekipmanında önemli bir yatak bileşenidir. Çekirdek yapısı, yüksek saflıkta grafit malzeme + tantal karbür (TaC) kaplamanın kompozit tasarımını benimser:
Grafit alt tabaka: Reaksiyon haznesinde düzgün bir termal alan dağılımı sağlamak için mükemmel termal iletkenlik (~130 W/m·K) ve yüksek sıcaklık kararlılığı (sıcaklık > 2000℃) sağlar.
Tantal karbür kaplama: Grafit yüzeyi, genellikle 30-100 um kalınlığında, yoğun bir kimyasal bariyer oluşturmak için kimyasal buhar biriktirme (CVD) veya sinterleme işlemiyle kaplanır.
Tasarım, SiC epitaksiyel büyümesinin yüksek sıcaklık (1500-1700℃), son derece aşındırıcı (silan, HCl ve diğer gazlar) ortamı için optimize edilmiştir, bu da proses kararlılığını ve yonga verimini önemli ölçüde iyileştirir.
Tantal karbür (TaC) ve silisyum karbür (SiC) kaplama performans karşılaştırması
| Kaplama malzemesi | Tantal karbür (TaC) kaplama | Silisyum karbür (SiC) kaplama |
| Erime noktası | Erime noktası 3880℃ (daha yüksek sıcaklık sınırı) | Erime noktası 2700℃ (yüksek sıcaklıklarda kolayca parçalanır) |
| Isıl genleşme katsayısı | Termal genleşme katsayısı 6.3×10⁻⁶/K (grafit ile daha iyi uyum sağlar) | 4.5×10⁻⁶/K (termal uyumsuzluk nedeniyle çatlaması kolaydır) |
| Silisyum buharı korozyonuna karşı direnç | Silisyum buharı korozyonuna karşı mükemmel direnç (düşük TaC ve Si reaktivitesi) | zayıf (yüksek sıcaklıklarda SiC, Si ile reaksiyona girerek gaz fazı Si₂C oluşturur) |
| Partikül kirliliği riski | Çok düşük partikül kontaminasyonu riski (gözeneksiz yoğun kaplama) | Yüksek (lokal soyulmaya meyilli kaplama) |
| Ömür | Hizmet ömrü > 5000 saat (uzatılmış bakım döngüsü %50'den fazla) | 2000-3000 saat hakkında |
Üretim uyumluluğu
Aixtron G5 WW C ve Prophet platformuna uyarlanmış olup, > 6 adet/parti kapasitesiyle 8/30 inçlik gofretleri taşıyabilmektedir.
Teknik değer ve endüstri önemi
Grafit + tantal karbür kaplamalı planet suseptörü, uzun vadeli yüksek sıcaklık prosesinde geleneksel SiC kaplamanın darboğaz sorununu çözer:
Maliyet optimizasyonu: Sarf malzemelerinin değiştirme döngüsünü uzatın ve tek bir parçanın epitaksiyel maliyetini %20'den fazla azaltın;
Verim iyileştirme: Partikül kirliliğini ve ısı noktası etkisini azaltır ve epitaksiyel levha veriminin %95'i aşmasını sağlar;
Proses penceresinin genişletilmesi: Daha yüksek büyüme hızlarını (> 50μm/saat) ve daha kalın epitaksiyel katmanları destekler.
Küresel SiC kapasitesi 8 inçe yükseltildiğinde, bu teknoloji epitaksiyel tutarlılık darboğazını aşmak için kritik bir yol olacak.
Özellikler
| TaC kaplamanın fiziksel özellikleri | |
| Yoğunluk | 14.3 (g/cm³) |
| Özgül emisivite | 0.3 |
| Termal genleşme katsayısı | 6.3 10-6/K |
| Sertlik (HK) | 2000 HK |
| Direnç | 1×10-5 Ohm*cm |
| Termal kararlılık | |
| Grafit boyut değişiklikleri | -10~-20um |
| Kaplama kalınlığı | ≥20um tipik değer (35um±10um) |
| Termal iletkenlik | 9-22(W/m·K) |
| İzostatik grafitin fiziksel özellikleri | ||
| Varlığınızı | birim | Tipik değer |
| Kütle yoğunluğu | g / cm | 1.83 |
| Sertlik | HSD | 58 |
| Elektrik özdirenç | μΩ.m | 10 |
| Bükülme mukavemeti | Mpa | 47 |
| Basınç dayanımı | Mpa | 103 |
| Gerilme direnci | Mpa | 31 |
| Young Modülü | GPa | 11.8 |
| Termal Genleşme (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Termal iletkenlik | W·m-1·K-1 | 130 |
| Ortalama Tane Boyutu | um | 8-10 |
Başvurular
Silisyum karbür güç cihazı epitaksi
4V üzeri yüksek gerilimli MOSFET ve IGBT cihazlarının imalatında kullanılan 1200H-SiC homojen epitaksiyel büyümeye uygundur.
Yeni enerji araçlarına, fotovoltaik invertörlere, raylı ulaşıma ve diğer alanlara olan talep arttı.
Üçüncü nesil yarı iletken geliştirme
5G RF cihazları ve milimetre dalga iletişim çipleri için GaN-on-SiC heteroepitaksi sürecini destekler.
Rekabet Avantajı
Temel avantajların özeti:
TaC kaplama, yüksek sıcaklıkta korozyon direnci, termal uyum ve uzun ömür açısından geleneksel SiC kaplamaya göre üstün olup, özellikle SiC epitaksiyel büyümesinde silisyum buharı zenginleştirme ortamına uygundur.
Aşırı sıcağa dayanıklılık:
Kaplamanın buharlaşması sonucu reaksiyon haznesinin kirlenmesini önlemek için yapı 2000℃'de stabil kalır.
Kimyasal direnç:
SiH₄ ve HCl gibi öncül gazların aşınmasına karşı etkili direnç. Alt tabakadaki yüzey kusurlarını azaltır.
Termal alan homojenliği:
Grafit + TaC kompozit yapının ısıl iletkenliği, SiC yonga (SiC: 490 W/m·K) ile yakın olup, ısıl stresten kaynaklanan kafes bozulmasını azaltmaktadır.
Düşük kirlilik çıktısı:
TaC kaplamanın yüzey pürüzlülüğü < 1μm olup, bu da mikro parçacıkların düşmesini engelleyebilir ve epitaksiyel tabakanın yüzey kalitesini (kusur yoğunluğu < 0.5/cm²) garanti edebilir.
