Gözenekli Tantal karbür TaC

Semixlab, tantal karbür (TaC) ile kaplanmış gözenekli bir grafit malzeme tanıttı. Gaz fazı akış yönlendirmesi ve filtrasyon için geniş özgül yüzey alanından yararlanmak amacıyla, kontrol edilebilir gözenekliliğe (%50–75) sahip gözenekli bir grafit iskeleti kullanıyor. CVD teknolojisiyle, hem iç hem de dış yüzeylere yoğun bir TaC kaplama (erime noktası: 3880 °C) uygulanarak malzemeye olağanüstü yüksek sıcaklık direnci ve H₂ korozyon direnci (geleneksel SiC kaplamalardan 10 kat daha yüksek) kazandırılıyor. Benzersiz bir kademeli geçiş katmanı tasarımı, termal genleşme katsayısının düzgün bir şekilde geçişini sağlayarak, kaplamanın tekrarlanan termal şoklar altında çatlamasını veya soyulmasını önlüyor. Bu yapı, SiC kristal büyümesinde dört temel işlevi mümkün kılar: partikül halindeki safsızlıkları engellemek için yüksek hassasiyetli bir filtre görevi görmek, TaC'nin yüksek termal iletkenliği yoluyla sıcaklık alanını hassas bir şekilde düzenleyerek büyüme hızını kontrol etmek, gözenek yapısı boyunca yönlü gaz fazı akışını yönlendirerek düzgün kristal büyümesini teşvik etmek ve yoğun yüzey ile gözenekli iç yapının sinerjisi yoluyla kararlı bir atmosfer sağlamak; böylece kristal verimini ve işlem tekrarlanabilirliğini önemli ölçüde iyileştirmek.

TaC biriktirme ünitesinin tipik şeması: (a) yerinde klorlama cihazı; (b) CVD reaktörü.

Uygulama Senaryoları

1. Temel Uygulama: PVT SiC Tek Kristal Büyütme

PVT (Fiziksel Buhar Taşıma) yöntemiyle SiC tek kristal büyütme sürecinde, ürünlerimiz esas olarak gözenekli potalar, pota kapakları, akış kılavuz tüpleri ve tepsiler gibi termal alan bileşenleri olarak kullanılmaktadır. Geleneksel grafit malzemelerle karşılaştırıldığında, karbon parçacıklarının kristale girmesini engelleyerek karbon inklüzyonlarını ortadan kaldırabilir, mikro boru kusurlarını önemli ölçüde azaltabilir, uzun döngülü büyüme sırasında yapısal bütünlüğü koruyarak aşındırma çukuru oluşumunu önleyebilir ve polikristalleşmeyi engelleyerek daha saf bir büyüme ortamı sağlayarak verimi artırabilir, böylece kristal kalitesini ve üretim verimliliğini yükseltebilirler.

2. Genişletilmiş Uygulama

①Yarı İletken Epitaksi Ekipmanları

SiC epitaksi işleminde (LPE, MOCVD ekipmanı), malzemelerimiz ısıtıcı, grafit tepsi ve reaksiyon odası astarı olarak kullanılabilir. TaC kaplamanın NH₃ korozyon direnci, grafit bileşenlerini etkili bir şekilde korur, safsızlık kontaminasyonunu önler ve bileşenlerin kullanım ömrünü uzatarak epitaksi ekipmanının istikrarlı çalışmasını sağlar.

②PV Kaplama Ekipmanları

Fotovoltaik hücre üretiminde kullanılan PECVD işleminde, ürünlerimiz grafit tekneler ve taşıyıcı plakalar için kaplama malzemesi olarak kullanılabilir. Flor/klor içeren plazmaların aşındırmasına karşı dirençlidirler, grafit tozunun silikon levhaları kirletmesini önlerler ve PERC ve HJT gibi yüksek verimli hücre işlemlerine uygundurlar, böylece fotovoltaik hücre kalitesinin iyileştirilmesine katkıda bulunurlar.