SiC Kaplamalı Wafer Süspansiyon

SiC Kaplamalı Wafer Susceptor, yarı iletkenler, LED'ler ve fotovoltaikler gibi yüksek sıcaklık proseslerinde kullanılan önemli bir bileşendir. Kimyasal buhar biriktirme (CVD), metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) ve epitaksi gibi proseslerde esas olarak wafer'ları (Si, GaN, SiC, safir ve diğer substratlar gibi) taşımak ve ısıtmak için kullanılır. SiC kaplama mükemmel yüksek sıcaklık direnci, korozyon direnci ve termal kararlılık sağlar ve zorlu proses ortamları için uygundur.

Uygulama:

SiC (Silisyum Karbür) Kaplamalı Wafer Süspansiyonu, yarı iletken üretiminde ve yüksek sıcaklık proseslerinde yaygın olarak kullanılan, esas olarak waferları desteklemek ve ısıtmak için kullanılan önemli bir bileşendir.

Sağlanabilecek hizmetler:

müşteri uygulama senaryosu analizi, eşleşen malzemeler, teknik problem çözümü.

Şirket Profili:

Semixlab bünyesinde 2 yıllık malzeme deneyimine sahip uzman ekibi, Ar-Ge ve üretim, test ve doğrulama kabiliyetleri olan 20 laboratuvar bulunmaktadır.

Teknik parametreler

Ana uygulama alanları

Ekolojik zincir doğrulama onayı

Semixlab SiC Kaplamalı Wafer Susceptor uluslararası standart doğrulamasını geçmiş, kalitesi yetkili olarak tanınmış ve bir dizi patentli teknolojiye sahip olup, %99.9999'un üzerinde bir SiC kaplama saflığına ulaşmıştır.

Tipik başvuru süreci

Grafit alt tabaka işleme → Yüzey ön işlemi → SiC kaplama hazırlığı → Son işlem → Kalite denetimi → Temizlik ve paketleme

Semixlab SiC Kaplamalı Gofret Susceptor, son teknoloji proses parametresi optimizasyonu sayesinde üst düzey yarı iletken epitaksiyel uygulamalarında büyük bir teknolojik atılım gerçekleştirdi. Bu yenilik, yarı iletken pazarında kademeli ithalat ikamesini mümkün kılarak yüksek performanslı, uygun maliyetli bir yerel çözüm sundu. Susceptorlarımız, GaN, SiC, LED ve güç cihazları gibi epitaksiyel büyüme senaryolarında başarıyla uygulanmış olup, yüksek verimli epitaksiyel prosesler için temel faktörler olan olağanüstü termal kararlılık, tekdüzelik ve uzun ömür göstermiştir.

Ayrıntılı teknik özellikler, teknik belgeler veya örnek test düzenlemeleri için lütfen Teknik Destek Ekibimizle iletişime geçerek Semixlab'ın epitaksiyel süreç verimliliğinizi nasıl artırabileceğini öğrenin.

Semixlab SiC Kaplamalı Wafer Susceptor çekirdek avantajları

Mükemmel yüksek sıcaklık direnci

Yüksek sıcaklık kararlılığı: SiC, 2700℃'ye kadar bir erime noktasına sahiptir ve 1000℃~1600℃'lik bir işlem ortamında (CVD, MOCVD, epitaksiyel büyüme vb. gibi) uzun süre kararlı bir şekilde çalışabilir, bu da paslanmaz çelik veya alüminyum alaşımlı taşıyıcılardan çok daha iyidir. Düşük termal genleşme katsayısı, yüksek sıcaklıkta deforme olması kolay değildir ve gofret konumlandırma doğruluğunu korur.

Isıl şok direnci: SiC yüksek ısıl iletkenliğe sahiptir, ısıyı hızlı ve eşit şekilde dağıtabilir ve ani sıcaklık değişimlerinden kaynaklanan çatlama riskini azaltır (grafitten daha dayanıklıdır).

Mükemmel korozyon ve kirlilik direnci

HCl, H2, NH3 (aşındırma ve epitaksiyel işlemlerde yaygın) gibi aşındırıcı gazlara karşı dirençlidir, taşıyıcının aşınmasını ve parçacık kontaminasyonuna neden olmasını önler. Güçlü anti-oksidasyon performansı, yüksek sıcaklıktaki oksijen içeren ortamlarda grafitten daha kararlıdır (grafit kaplama koruması gerektirirken, SiC'nin kendisi oksidasyona dirençlidir). SiC kaplaması %99.9999'dan (6N) daha fazla bir saflığa ulaşabilir, metal safsızlıklarının (Fe, Ni gibi) gofreti kirletmesini önler ve özellikle silikon bazlı ve geniş bant aralıklı yarı iletken (GaN, SiC) üretimi için uygundur.

Mükemmel ısı iletkenliği ve ısıl homojenlik

Hızlı ısı iletimi, gofretin düzgün bir şekilde ısıtılmasını sağlar (epitaksiyel büyüme sırasında eşit olmayan kalınlığı azaltır). Üretim verimliliğini artırmak için hızlı sıcaklık artışı ve düşüşü işlemleri (RTP hızlı tavlama gibi) için uygundur. SiC'nin termal genleşme katsayısı, silikon (Si) ve silikon karbür (SiC) gofretlerininkine yakındır ve termal stresten kaynaklanan kafes kusurlarını azaltır.

Uyumluluk ve tasarım esnekliği

SiC kaplamalar, hem hafiflik hem de yüksek mukavemet dikkate alınarak grafit, molibden ve karbon fiber gibi alt tabakalara biriktirilebilir. CVD veya püskürtme işlemleriyle, taşıyıcıların karmaşık yapıları (gözenekli yapılar ve gömülü ısıtma elemanları gibi) hazırlanabilir.