EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
CVD SiC Grafit Silindir
CVD SiC Grafit Silindir, yarı iletken epitaksi ve kimyasal buhar biriktirme (CVD) sistemleri için tasarlanmış yüksek performanslı bir reaktör bileşenidir. Bileşen, yüksek yoğunluklu izostatik grafit alt tabaka ile yoğun bir Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) silisyum karbür kaplamanın birleşiminden oluşmakta olup, yüksek sıcaklık işlem ortamlarında mükemmel termal kararlılık, korozyon direnci ve yapısal dayanıklılık sunmaktadır. Semixlab CVD SiC Grafit Silindirler, SiC epitaksi reaktörlerinde, silikon epitaksi sistemlerinde, GaN MOCVD ekipmanlarında ve gelişmiş CVD biriktirme sistemlerinde yaygın olarak kullanılmakta olup, zorlu yarı iletken üretim süreçleri için güvenilir performans sağlamaktadır. Sorularınız için bekliyoruz.
Açıklama
CVD SiC grafit silindirleri, epitaksiyel reaktörler ve kimyasal buhar biriktirme (CVD) sistemleri de dahil olmak üzere yüksek sıcaklıkta yarı iletken işleme ekipmanlarında kritik yapısal bileşenler olarak görev yapmaktadır. Gelişmiş yarı iletken üretim süreçlerinde kararlı bir reaksiyon ortamının korunmasında, işlem gazı akışının yönlendirilmesinde ve reaktörün iç bileşenlerinin korunmasında hayati bir rol oynarlar.
Bu bileşen tipik olarak yüksek yoğunluklu izostatik grafit alt tabaka ile yoğun kimyasal buhar biriktirme (CVD) silisyum karbür (SiC) kaplamanın birleştirilmesiyle üretilir. Grafit alt tabaka mükemmel termal iletkenlik, yapısal dayanıklılık ve işlenebilirlik sağlarken, SiC kaplama yüksek saflıkta, kimyasal olarak inert bir koruyucu yüzey oluşturur.
Semixlab CVD SiC grafit silindirleri, SiC epitaksi sistemlerinde, silikon epitaksi reaktörlerinde, GaN MOCVD ekipmanlarında ve diğer yüksek sıcaklık CVD reaktörlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu uygulamalarda, istikrarlı proses performansını korumak için yüksek termal kararlılık, korozyon direnci ve kirlenme kontrolü kritik öneme sahiptir.
Yarı İletken Epitaksi ve CVD Reaktörlerindeki Roller
Reaksiyon Ortamının Dengelenmesi
Epitaksi ve CVD reaktörlerinde, grafit silindirler genellikle taban veya gofret taşıyıcı düzeneğinin etrafına veya yakınına yerleştirilir ve iç reaksiyon bölgesi yapısının bir parçasını oluşturur. Varlıkları, reaksiyon alanının geometrisini tanımlamaya yardımcı olur ve kritik proses bileşenlerinin istikrarlı bir şekilde konumlandırılmasını sağlar.
Yüksek sıcaklıkta çalışma sırasında haznenin yapısal bütünlüğünü koruyarak, grafit silindirler, wafer'lar üzerinde düzgün film büyümesi elde etmek için gerekli olan istikrarlı sıcaklık dağılımını ve reaksiyon koşullarını kolaylaştırır.
Proses Gaz Akışının Optimizasyonu
Yarı iletken kaplama işlemlerinde hassas gaz akışı kontrolü son derece önemlidir. Silindirik yapı, öncü gaz akışını reaksiyon bölgesinden yönlendirerek türbülansı azaltır ve daha homojen bir gaz dağılımı sağlar.
Bu kontrollü akış ortamı, işlem tutarlılığını artırır ve özellikle kalınlık ve katkı maddesi homojenliği kontrolünün sıkı bir şekilde yapılmasını gerektiren epitaksiyel büyüme süreçlerinde kritik öneme sahip olan düzgün malzeme birikimini destekler.
Reaktör Bileşenlerinin Korunması
Yüksek sıcaklıkta işlem sırasında, reaktif gazlar ve çökelme yan ürünleri reaktör yüzeyleriyle reaksiyona girebilir. Grafit silindirler, hassas reaktör bileşenlerini aşındırıcı işlem koşullarına doğrudan maruz kalmaktan koruyan yapısal bariyerler görevi görür. Bu koruyucu işlev, kontaminasyon risklerini azaltmaya ve çökelme sistemlerinin genel güvenilirliğini artırmaya yardımcı olur.
Özellikler
| CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri | |
| Varlığınızı | Tipik değer |
| Kristal yapı | FCC β fazı polikristalin, esas olarak (111) yönelimli |
| Yoğunluk | 3.21 g / cm³ |
| Sertlik | 2500 Vickers sertliği (500g yük) |
| Tane büyüklüğü | 2 ~ 10μm |
| Kimyasal Saflık | 99.99995% |
| Isı kapasitesi | 640 J · kg-1·K-1 |
| Süblimleşme Sıcaklığı | 2700 ℃ |
| Bükülme mukavemeti | 415 MPa RT 4 nokta |
| Young Modülü | 430 Gpa 4pt dirsek, 1300℃ |
| Termal iletkenlik | 300W·m-1·K-1 |
| Termal Genleşme (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Başvurular
Tipik Yarı İletken Proses Uygulamaları
Semixlab CVD SiC grafit silindirleri, çeşitli gelişmiş yarı iletken üretim süreçlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Güç Yarı İletken Cihazları için SiC Epitaksi
Silisyum karbür epitaksi reaktörlerinde, büyüme sıcaklıkları tipik olarak 1500°C'yi aşar ve işlem ortamları hidrojen ve klor gazları içerebilir. Bu aşırı koşullar altında, reaktör bileşenlerinin olağanüstü termal ve kimyasal kararlılık göstermesi gerekir.
CVD SiC grafit silindirleri, SiC güç cihazı üretiminde istikrarlı bir reaksiyon ortamının korunmasına ve düzgün epitaksiyel katman büyümesinin desteklenmesine yardımcı olur.
Silikon Epitaksi
Gelişmiş mantık ve güç cihazları için silikon epitaksi süreçlerinde, reaktör bileşenlerinin tutarlı gaz dağılımı ve sıcaklık kontrolü sağlamak için kesin boyutsal kararlılığı koruması gerekir. Grafit silindirler, kararlı iç oda yapılarına katkıda bulunarak, silikon epitaksiyel tabakanın plakalar üzerine düzgün bir şekilde biriktirilmesini destekler.
GaN ve LED'ler için MOCVD Prosesleri
Galyum nitrür ve LED üretiminde, MOCVD reaktörleri amonyak ve metal organik bileşikler gibi yüksek derecede reaktif öncü gazlar kullanarak yüksek sıcaklıklarda çalışır. CVD SiC grafit gaz silindirleri, reaktör yapılarının stabilize edilmesine ve işlem gazlarının yönlendirilmesine yardımcı olarak, biriktirme homojenliğini ve ekipmanın uzun vadeli güvenilirliğini artırır.
Yüksek Sıcaklıkta CVD Kaplama Sistemleri
Polisilisyum, silisyum karbür veya diğer gelişmiş malzemeler gibi çeşitli CVD tabanlı kaplama sistemlerinde, grafit gaz silindirleri reaktörün istikrarlı çalışmasını destekler ve kirlenme risklerini azaltır.
Hizmetlerimiz
Semixlab Ürün Mağazası
