EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
MOCVD ve Epitaksi için CVD SiC Kaplı Grafit Suseptör Üreticisi
Semixlab, yüksek sıcaklıkta yarı iletken çalışmaları için CVD SiC kaplı grafit süseptörler sunmaktadır; MOCVD, epitaksi ve wafer işleme gibi uygulamalar bu süseptörlerin kullanım alanları arasındadır. Her süseptör, yüksek saflıkta bir grafit tabanla başlar ve ardından kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle homojen bir silisyum karbür tabakası uygulanır. Grafit iyi bir termal tepki sağlarken, SiC kimyasal inertlik ve yüzey sertliği kazandırır.
Açıklama
Ürüne Genel Bakış
Epitaksiyel büyümede, ısıtıcı (susceptor), plakaların ne kadar homojen bir şekilde ısındığı ve büyüme ortamının bir işlem boyunca ne kadar tutarlı kaldığı üzerinde doğrudan bir etkiye sahiptir. Semixlab'ın CVD SiC kaplı ısıtıcıları, yoğun grafitten üretilmiştir ve SiC işlemimizle kaplanmıştır. Peki bunlar ne gibi avantajlar sağlıyor?
● İyi ısı iletimi
● Yonga levhası boyunca eşit sıcaklık profilleri
● Proses kimyasallarına karşı yüksek direnç
● Düşük partikül dökülmesi
● Sıcak bölgelerde parça ömrünün uzaması
CVD kaplama, grafitin aşındırıcı gazlardan korunmasını sağlayan ve bileşenin genel dayanıklılığını artıran yoğun bir SiC tabakası oluşturur.
Ana Özellikler
Yüksek Saflıkta Grafit Alt Tabaka
Size şu avantajları sağlayan grafit kalitelerini kullanıyoruz:
● Düşük safsızlık sayısı
● Öngörülebilir mekanik tepki
● Yeterli ısı iletimi
● Isı şokuna karşı iyi tolerans
Bu grafit, hızlı ısınma ve soğuma döngülerinde iyi performans gösterir.
Tekdüze CVD SiC Kaplama
SiC katmanı şunları sağlar:
● Yüksek yüzey sertliği
● Yeterli oksidasyon koruması
● Geliştirilmiş korozyon direnci
● Kirlenme riski daha düşük
Kaplama kalınlığı ve yüzey kalitesi, özel işleminize uygun olarak değiştirilebilir.
Mükemmel Isıl Homojenlik
Epitaksi için kararlı bir termal alan elde etmek olmazsa olmazdır. Grafitin iletkenliği ve SiC'nin yüzey özelliklerinin birleşimi şunları sağlar:
● Düzgün gofret sıcaklıkları
● Daha istikrarlı işlem
● Çalıştırmadan çalıştırmaya daha iyi tekrarlanabilirlik
Yüksek Sıcaklık Kararlılığı
Bu taşıyıcılar, zorlu yarı iletken koşullarına dayanacak şekilde üretilmiştir:
● Yüksek çalışma sıcaklıkları
● Sık termal döngü
● Uzun süreler boyunca sürdürülebilir süreç istikrarı
Neden Semixlab'ı Seçmelisiniz?
Gelişmiş CVD Kaplama Teknolojisi
Karbon bazlı malzemeler ve CVD kaplama konusunda uygulamalı deneyime sahibiz ve SiC kaplı grafit bileşenlerini sizin özel yarı iletken uygulamanıza göre uyarlayabiliyoruz.
Özelleştirilmiş Üretim Yeteneği
İdare ediyoruz:
● Prototipler
● Küçük partiler
● Seri üretim
● Özel boyutlar ve tasarımlar
Kalite kontrol
Her parça şu açılardan kontrol edilir:
● Boyutsal hassasiyet
● Yüzey durumu
● Kaplama homojenliği
● Proses güvenilirliği
Özellikler
| + | Özellikler |
| PLATFORM | CVD SiC Kaplı Grafit Susceptor |
| Temel malzeme | Yüksek Saflıkta Grafit |
| Kaplama malzemesi | CVD Silisyum Karbür (SiC) |
| SiC Saflığı | ≥%99.999 (Tipik) |
| Çalışma sıcaklığı | 1600°C'ye kadar (işleme bağlı olarak) |
| Kaplama kalınlığı | Özelleştirilebilir |
| yüzey | Uygulamaya özel olarak uyarlanmıştır. |
| Çap | Özelleştirilmiş |
| Uygulama | MOCVD, Epitaksi, Yarı İletken İşleme |
Başvurular
| Ekipman Türü | Tipik Süreçler | Yonga Malzemeleri |
| MOCVD Reaktörleri | GaN LED epitaksi, bileşik yarı iletken büyümesi, ince film biriktirme | GaN, InGaN, AlGaN |
| Epitaksi Sistemleri | SiC epitaksiyel büyümesi, III-V yarı iletken epitaksisi | SiC, GaAs, InP |
| Yarı İletken Levha İşleme Araçları | Yüksek sıcaklık desteği, Ar-Ge test çalışmaları | Silikon, SiC, GaN |
Hizmetlerimiz
Semixlab Ürün Mağazası
