Katı SiC kenar halkası

Temel Performans Özellikleri

Semixlab Bulk SiC Edge Ring, yeni nesil yarı iletken üretiminin zorlu taleplerini karşılamak üzere tasarlanmıştır. Aşağıdaki performans özellikleri, onu gelişmiş fabrikalardaki plazma aşındırma odaları için tercih edilen bir seçenek haline getirir:

● Mükemmel Plazma Bombardımanı Direnci

Yüksek saflıkta katı silisyum karbürden üretilen kenar halkası, yüksek yoğunluklu plazmaya karşı olağanüstü dayanıklılık göstererek yoğun iyon bombardımanı altında minimum aşınma ve uzatılmış bileşen ömrü sağlar.

● Üstün Gaz Korozyon Direnci

SiC malzemesi yüksek kimyasal inertliğe sahiptir ve yüksek sıcaklık ortamlarında bile yüzey bozulmasına neden olmadan Cl₂, CF₄ ve SF₆ gibi aşındırıcı aşındırıcı gazlara etkili bir şekilde dayanır.

● Üstün Termal Şok ve Termal Gerilim Direnci

120-150 W/m·K'lik bir ısıl iletkenliğe ve düşük bir ısıl genleşme katsayısına (~4.5×10⁻⁶ /K) sahip olan katı SiC yapısı, hızlı ısıl çevrim sırasında boyutsal kararlılığını ve mekanik bütünlüğünü korur.

● Pürüzsüz Yüzey, Partikülsüz Çalışma

Gelişmiş yüzey işleme teknikleri düşük yüzey pürüzlülüğü (Ra ≤ 0.2 µm) sağlayarak partikül oluşumunu en aza indirir ve hazne temizleme süreçlerini basitleştirir; bu da duruş süresini azaltır.

● Zamanla Eğilme veya Deformasyon Olmaz

Geleneksel kompozit kenar halkalarından farklı olarak, monolitik SiC tasarımımız, uzatılmış işlem döngüleri boyunca düz ve boyutsal olarak kararlı kalır ve uzun hizmet ömürleri boyunca güvenilir performans sunar.

Neden Semixlab SiC Kenar Halkalarını Seçmelisiniz?

Semixlab'da, uzmanlık ve inovasyonla desteklenen üstün kalite sunuyoruz. Semixlab SiC Edge Rings'in öne çıkmasının nedeni:

● Özel Olarak Tasarlanmış Çözümler

İç/dış çaplar, kalınlık ve özel yüzey kaplamaları veya dokuları dahil olmak üzere, proses spesifikasyonlarınıza göre tam özelleştirme sağlayarak, aşındırma odanızda mükemmel uyum ve optimum performans sağlıyoruz.

● Kapsamlı Tür Yelpazesi

Semixlab, çeşitli aşındırma aleti platformlarını destekler; TEL, Lam, AMAT ve özel OEM sistemleri dahil olmak üzere, çeşitli proses ihtiyaçlarını karşılamak için hem standart hem de alete özgü kenar halkaları mevcuttur.

● İstikrarlı Kalite, Hızlı Teslimat

ISO sertifikalı üretim, sıkı kalite kontrol ve akıcı bir tedarik zinciri ile üretiminizin gecikmeden devam etmesini sağlamak için tutarlı parça performansı, kısa teslim süreleri ve zamanında teslimat sağlıyoruz.

Katı SiC'nin Temel Fiziksel Özellikleri

Yarıiletken Üretiminde Uygulama

Katı SiC Kenar Halkası, silikon gofret plazma aşındırma işleminde gofret ile hazne donanımı arasında koruyucu ve yapısal bir arayüz görevi gördüğü temel bir bileşendir. Gofretin kenarına yerleştirilen bu bileşen, işlem kararlılığını sağlar, elektrostatik aynayı (ESC) korur ve partikül birikimini önleyerek kirlenme risklerini azaltır. İşlem tekrarlanabilirliğinin, hazne korumasının ve uzun vadeli güvenilirliğin kritik olduğu yüksek hassasiyetli kuru aşındırma ve RIE (Reaktif İyon Aşındırma) ortamlarında özellikle değerlidir.