Yüksek Saflıkta SiC Teknesi

Yüksek saflıkta silisyum karbür (SiC) bot, yüksek sıcaklık yarı iletken prosesleri, kristal büyümesi ve hassas ısıl işlem için tasarlanmış yüksek performanslı bir seramik taşıyıcıdır. Ultra yüksek saflıkta SiC malzeme ile sinterlenmiştir ve mükemmel yüksek sıcaklık direncine, termal şok direncine ve kimyasal kararlılığa sahiptir. Yarı iletken difüzyonunda, CVD'de, LED epitaksisinde ve fotovoltaik tek kristal büyümesinde yaygın olarak kullanılır.

Uygulama:

Yüksek Saflıkta SiC Tekne, esas olarak yüksek sıcaklık ortamlarında gofretleri taşımak ve transfer etmek için kullanılan temel bir yarı iletken proses sarf malzemesidir ve silikon gofret difüzyonu, oksidasyonu, tavlama ve CVD proseslerinde yaygın olarak kullanılır. Özellikle üçüncü nesil yarı iletkenlerin (SiC/GaN gibi) ve güç cihazlarının yüksek sıcaklık prosesleri için uygundur.

Sağlanabilecek hizmetler:

müşteri uygulama senaryosu analizi, eşleşen malzemeler, teknik problem çözümü.

Şirket Profili:

Semixlab bünyesinde 2 yıllık malzeme deneyimine sahip uzman ekibi, Ar-Ge ve üretim, test ve doğrulama kabiliyetleri olan 20 laboratuvar bulunmaktadır.

Teknik parametreler

Ana uygulama alanları

Ekolojik zincir doğrulama onayı

Semixlab Yüksek Saflıkta SiC Teknesi'nin ekolojik zincir doğrulaması hammaddeden üretime kadar uzanıyor, uluslararası standart sertifikasyonunu geçmiş olup, yarı iletken ve yeni enerji alanlarında güvenilirliğini ve sürdürülebilirliğini garanti altına almak için bir dizi patentli teknolojiye sahip.

Tipik başvuru süreci

Hammadde Hazırlama (Yüksek Saflıkta SiC Tozu) → Şekillendirme İşlemi (Kuru Presleme/İzostatik Presleme) → Sinterleme İşlemi → İşleme ve Yüzey İşlemi (CNC Taşlama/Parlatma, Kimyasal Aşındırma, Tavlama) → Arıtma ve CVD Kaplama → Kalite Kontrol → Paketleme

Semixlab Yüksek Saflıkta SiC Tekne'nin benzersiz yapısal tasarımı, son teknoloji proses parametresi optimizasyonu sayesinde mükemmel gofret stabilitesi sağlarken partikül kontaminasyonu riskini önemli ölçüde azaltır. Hizmet ömrü geleneksel kuvars teknelerinin 5-8 katına ulaşabilir ve bu da onu yüksek sıcaklıklı gofret işleme için ideal bir taşıyıcı çözümü haline getirir. Bu yenilik, yarı iletken pazarında ithalatı kademeli olarak değiştirmesini sağlayarak yüksek performanslı, uygun maliyetli bir yerel çözüm sunar.

Ayrıntılı teknik özellikler, teknik belgeler veya örnek test düzenlemeleri için lütfen Teknik Destek Ekibimizle iletişime geçerek Semixlab'ın süreç verimliliğinizi nasıl artırabileceğini öğrenin.

Semixlab Yüksek Saflıkta SiC Tekne çekirdek avantajları

1. Aşırı saflık (temel avantaj)

Semixlab Yüksek Saflıkta SiC Teknesi, ultra yüksek saflığa (≥%99.9999) sahiptir ve yonga veya epitaksiyel malzemelerin kirlenmesini önlemek için safsızlık içeriği (Fe, Al, Na, vb.) 1 ppm seviyesinde kontrol edilir; bu da özellikle SiC/GaN yarı iletken üretimi için uygundur.

2. Kimyasal inertlik (korozyon direnci)

Asit, alkali/plazma erozyonuna dayanıklıdır ve HF, HCl, H2 (yarı iletken aşındırma işlemleri gibi) gibi aşındırıcı gazlara karşı dayanıklıdır. Yüksek sıcaklıklarda gaz salınımı olmaz.

3. Mekanik dayanıklılık ve kullanım ömrü

Ultra yüksek sertlik, mükemmel aşınma direnci, parçacık dökülme riskini azaltır ve hizmet ömrünü uzatır (genellikle bir kuvars teknesinin 3 ila 5 katı). Yüksek sıcaklıklarda kolayca deforme olmaz, gofret düzlüğünü korur (örneğin bir difüzyon fırınında eğrilme <0.1 mm).

4. Proses uyumluluğu

Çeşitli zorlu ortamlara, oksidasyon/redüksiyon atmosferlerine (O2, H2, Ar gibi) ve CVD/PVD kaplama işlemlerine uyarlanabilir. Yüzey, kontaminasyonu daha da azaltmak için parlatma (Ra<0.1μm) veya kaplama (SiO2 gibi) gibi özelleştirilebilir.