EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Yarı iletken kuvars gofret teknesi
Hızlı Detay:
1. Diğer isimler: Yarı iletken kuvars tankı, yarı iletken için kuvars banyosu, yarı iletken için kuvars tankı.
2. Uygulama: Yarı iletken üretiminde difüzyon, oksidasyon, CVD, tavlama vb. gibi yüksek sıcaklık prosesleri için Yarıiletken Kuvars gofret teknesi.
3. Temel parametreler:
Ultra yüksek saflıkta kuvars (>%99.99 SiO₂): Metal iyonlarının (Na+, K+, Fe³+, vb.) neden olduğu kirlenmeyi önler ve gelişmiş proseslerin (<5nm düğümler) temizlik gereksinimlerini karşılar.
Yüksek sıcaklık dayanımı: sürekli çalışma sıcaklığı 1200℃, anlık sıcaklık dayanımı 1300℃.
Kimyasal olarak inert: HCl, H₂, O₂, SiH₄ gibi proses gazlarına ve asit/alkali ortamlara dayanıklıdır. Uzun süreli kullanımda aşındırıcı değildir.
Açıklama
Semixlab Semiconductor Quartz wafer tekneleri, yarı iletken üretiminde difüzyon, oksidasyon, CVD, tavlama vb. gibi yüksek sıcaklık prosesleri için tasarlanmış temel rulman araçlarıdır. Mükemmel yüksek sıcaklık direnci, kimyasal kararlılık ve düşük termal genleşme katsayısına sahip yüksek saflıkta sentetik kuvarstan yapılmıştır, proses tutarlılığını ve ürün verimini sağlamak için zorlu proses ortamlarında wafer'ları kararlı bir şekilde taşıyabilir.
Uygulanabilir ekipmanlar: Her türlü Yatay/Dikey Difüzyon Fırını (Yatay/Dikey Difüzyon Fırını), LPCVD sistemi ve hızlı ısıl işlem (RTP) ekipmanlarıyla uyumludur.
Kalite güvencesi
Sıkı kalite kontrolü: %100 helyum kütle spektrometrisi kaçak tespiti (kaçak oranı <1×10⁻⁹ mbar·L/s). Her parti için malzeme saflık raporu (ICP-MS testi) düzenlenir.
Sertifikasyon standartları: SEMI F47 spesifikasyonları doğrultusunda, ISO 9001:2015 kalite yönetim sistemi sertifikasyonu ile.
Hizmet ömrü: Normal şartlarda ortalama ömrü 2 yıldan fazladır (proses sıklığına ve sıcaklık koşullarına bağlı olarak).
Neden kuvars teknemizi seçmelisiniz?
Özelleştirilmiş hizmetler: Ekipman modeline (TEL, Kokusai, ASM, vb.) ve proses gereksinimlerine göre özelleştirilmiş boyut ve yapı.
Hızlı yanıt: Standart teslimat süresi 3 haftadır, acil siparişler 10 iş gününe kadar düşürülebilir.
Küresel servis ağı: Teknik danışmanlık, kurulum rehberliği ve satış sonrası bakım desteği sağlayın.Malzeme Özellikleri.
Özellikler
Proje şartnamesi
Malzeme sentezi Erimiş Kuvars
Saflık ≥%99.99 SiO₂
Wafer boyutu uyumluluğu 8", 12" (6" veya 18" olarak özelleştirilebilir)
Çalışma sıcaklığı ≤1200°C (sürekli) / 1300°C (tepe)
Isıl genleşme katsayısı (CTE) 0.55×10⁻⁶/°C (20-1000°C)
Yüzey pürüzlülüğü (Ra) ≤0.2μm
Standart kapasite 25/50/100 tablet
Uygulanabilir proses gazları O₂, N₂, H₂, Ar, SiH₄, HCl, vb.
| mekanik özellik | Yoğunluk (g/cm3)3) | 2.2 |
| Mohs sertliği | 6-7 | |
| Basınç dayanımı (MPa) | 1100 | |
| Çekme dayanımı (N/mm)2) | 50 | |
| Eğilme dayanımı (N/mm)2) | 65 | |
| Burulma dayanımı (N/mm)2) | 30 | |
| Young modülü (MPa) | 7.2x104 | |
| Poisson oranı | 0.16 | |
| Termal özellikler | Isıl genleşme katsayısı (20~320℃,k)-1) | 5.5x10-7 |
| Isı iletkenliği (20℃,W·m)-1k-1) | 1.4 | |
| Özgül ısı (20℃, J)·kg-1k-1) | 670 | |
| Yumuşama noktası (℃) | 1700 | |
| Tavlama noktası (℃) | 1180 | |
| Gerinim noktası (℃) | 1080 | |
| Elektrik özelliği | Elektriksel direnç (Ω·m) | 1x1016(20°C) |
| Dielektrik sabiti (10GHz) | 3.74 | |
| Dielektrik kaybı (10GHz) | 0.0002 | |
| Dielektrik dayanım (V·m-1) | 3.7x107 |
Başvurular
Yüksek sıcaklıkta oksidasyon/difüzyon: silisyum katkılama (fosfor, bor difüzyonu), kapı oksit büyümesi.
İnce film biriktirme: LPCVD polikristalin silisyum, Silisyum nitrür (Si₃N₄) biriktirme.
Tavlama işlemi: İyon aşılama (RTA) sonrası tavlama, metal alaşımlama.
Üçüncü nesil yarı iletken: silisyum karbür (SiC), galyum nitrür (GaN) epitaksi işlemi.
Rekabet Avantajı
1. Malzeme özellikleri
Ultra yüksek saflıkta kuvars (>%99.99 SiO₂): Metal iyonlarının (Na+, K+, Fe³+, vb.) neden olduğu kirlenmeyi önler ve ileri prosesler için temizlik gereksinimlerini karşılar (<5nm düğümler).
Yüksek sıcaklık dayanımı: 1200°C sürekli çalışma sıcaklığı, 1300°C anlık sıcaklık dayanımı, deformasyon veya kristalleşme riski yoktur.
Kimyasal inertlik: HCl, H₂, O₂, SiH₄ gibi proses gazlarına ve asit/alkali ortamlara dayanıklıdır. Uzun süreli kullanımda aşındırıcı değildir.
2. Hassas tasarım
Yapıyı optimize edin:
Yuva aralığı doğruluğu ±0.05 mm'dir, bu da yonga plakasının doğru konumlandırılmasını (8/12 inç) sağlar ve çizilmeleri veya yerinden oynamayı önler.
Isıl şoka dayanıklı tasarım, hızlı yükselme ve düşmeye uyum sağlar (ısıtma hızı ≤20°C/dak).
Düşük partikül oluşumu: Yüzey, partikül yapışmasını ve düşmesini azaltmak için ultra hassas bir şekilde cilalanmıştır (Ra ≤0.2μm).
3. Çeşitlendirilmiş yapılandırma
Kapasite İsteğe Bağlı: 25 adet, 50 adet, 100 adet ve diğer standart özellikleri destekler, ayrıca standart dışı yuva numarası da özelleştirilebilir.
Tip uyarlaması: Açık Tekne, Kapalı Tekne veya özel tekne tipi (örneğin tekne tabanı yönlendirme kanalı tasarımı).
SSS
S1: Standart dışı boyut veya özel tasarım sağlayabilir misiniz?
A1: Semixlab, boyut ayarlaması, sıcaklık üst sınırı (malzeme yükseltmesi gerekir) veya arayüz türü dahil olmak üzere özel hizmetler için destek sağlar. Lütfen özel gereksinimler için Semixlab'ın teknik ekibiyle iletişime geçin.
S2: Teslim süresi ne kadardır?
C2: Standart ürünler için teslimat süresi 4-6 hafta, özel ürünler için tasarım ve doğrulama süresi ise 2-3 haftadır.
S3: Satış sonrası teknik destek sağlıyor musunuz?
C3: Evet, ömür boyu teknik danışmanlık ve acil durum müdahale hizmetleri sağlıyoruz. Kurulum veya kullanım sorunları durumunda, destek ekibine e-posta veya telefon yoluyla her zaman ulaşılabilir.
S4: Ürün yarı iletken endüstrisi standartlarını karşılıyor mu?
C4: Evet, üretim süreci SEMI standartlarına uygundur ve ISO 9001 kalite yönetim sistemi tarafından sertifikalandırılmıştır. Her parti fabrikadan çıkmadan önce hava sızdırmazlığı, sıcaklık direnci ve saflık açısından test edilir.
