CVD Tantal Karbür (TaC) Kaplama

TaC kaplama genellikle SiC'nin sınırlarına ulaşmaya başladığı durumlarda düşünülür. Bu durum, hem sıcaklığın hem de işlem atmosferinin daha zorlayıcı olduğu SiC epitaksi veya kristal büyümesinde daha sık görülür.

Çok daha yüksek bir erime noktasına sahip olan TaC, özellikle hidrojen veya HCl içeren ortamlarda, daha uzun süre yüksek sıcaklığa maruz kalmaya daha iyi dayanır. Pratikte bu, termal kararlılığın kristal kalitesini doğrudan etkilediği PVT büyümesi gibi süreçlerde fark yaratır.

Tipik uygulamalar arasında akış yönlendirme halkaları, tohum tutucular, pota ile ilgili parçalar ve termal alan içindeki diğer yapılar yer almaktadır. Bu bileşenler uzun süreler boyunca zorlu koşullara maruz kaldığından, bozulmayı azaltmak önem kazanmaktadır. Bazı kurulumlarda, TaC, pBN gibi eski malzemelerin ve hatta bazı SiC kaplı parçaların yerini yavaş yavaş almaktadır, ancak bu hala maliyete ve işlem tasarımına bağlıdır.