SiC Kaplamalı Grafit Süspansiyon
Semixlab'ın SiC kaplamalı grafit susceptörleri, yarı iletken epitaksiyel biriktirme ve MOCVD gibi yüksek sıcaklık prosesleri için tasarlanmış yüksek performanslı bileşenlerdir. CVD işlemiyle yoğun, kimyasal olarak inert bir silisyum karbür (SiC) tabakasıyla kaplanmış yüksek saflıkta bir grafit alt tabaka kullanırlar. Bu susceptörler mükemmel termal homojenlik sağlar, partikül kontaminasyonunu etkili bir şekilde önler ve bileşen dayanıklılığını önemli ölçüde artırır. Susceptörlerimizi tercih etmeniz, proses verimini artırmanıza ve bakım maliyetlerini düşürmenize yardımcı olabilir. Sizden haber bekliyoruz.
Açıklama
SiC (Silisyum Karbür) kaplamalı grafit süseptör, özellikle epitaksiyel biriktirme ve MOCVD (Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme) gibi zorlu yüksek sıcaklık uygulamalarında yarı iletken üretimi için olmazsa olmaz bir bileşendir.
Bu alıcılar, silikon gofretleri olağanüstü hassasiyetle tutmak ve ısıtmak üzere tasarlanmıştır ve homojen sıcaklık dağılımı ve kusursuz bir işlem ortamı sağlar. Alıcılarımız, güvenilir ve yüksek performanslı yarı iletken cihazların temeli olan yüksek kaliteli, homojen ince filmler üretmek için hayati önem taşır.
Ⅰ. Çekirdek Malzemeler ve Temel Özellikler
Alıcılarımız, yüksek saflıkta grafit çekirdek ve Silisyum Karbür (SiC) koruyucu tabakası kullanılarak uzmanca üretilmiştir.
Yüksek Saflıkta Grafit: Grafit alt tabaka, çekirdek yapısal bütünlüğünü ve termal performansını sağlar. Mükemmel termal kararlılığı, son derece yüksek sıcaklıklarda deformasyon olmadan çalışmasını sağlar. Grafitin düşük termal kütlesi, üretim ortamında hızlı çevrim süreleri için hayati önem taşıyan hızlı ve verimli ısıtma ve soğutma sağlar.
Silisyum Karbür (SiC) Kaplama: SiC kaplama, grafite CVD (Kimyasal Buhar Biriktirme) işlemiyle uygulanır. Bu işlem, son derece sert ve kimyasal olarak inert, yoğun ve gözeneksiz bir yüzey oluşturur. SiC, plazma erozyonuna ve agresif proses gazlarının saldırısına karşı üstün direnç sağlayarak kirlenmeyi ve partikül oluşumunu önler. Bu, temiz bir işlem sağlar, bileşenin ömrünü uzatır ve alttaki grafiti hasardan korur.
Ⅱ. Wafer Üretiminde İşlevsel Faydalar
SiC kaplamalı grafit reseptörlerimiz, yarı iletken üretiminin kalitesini ve verimliliğini sağlamada kritik bir rol oynar.
● Eşsiz Termal Homojenlik: Suseptörün tasarımı, SiC ve grafitin termal özellikleriyle birleşerek, ısının tüm gofret yüzeyine eşit şekilde dağılmasını sağlar. Bu, yüksek cihaz verimi için önemli olan homojen film kalınlığı ve tutarlı malzeme özellikleri elde etmek için hayati önem taşır.
● Üstün Kirlenme Kontrolü: Gözeneksiz ve kimyasal olarak inert SiC kaplama, grafit alt tabakadan gaz salınımını ve partikül dökülmesini önler. Bu sayede, yüksek sıcaklık proseslerinde yaygın bir sorun olan gofret kirlenmesi ve kusurları riski önemli ölçüde azalır.
● Gelişmiş Dayanıklılık ve Kullanım Ömrü: Sağlam SiC kaplama, aşındırıcı ve korozif etkenlere karşı koruyucu bir kalkan görevi görerek, suseptörün kullanım ömrünü önemli ölçüde uzatır. Bu sayede, değiştirme sıklığı azalır ve genel bakım maliyetleri düşer.
● Yüksek İşlem Tekrarlanabilirliği: Kararlı ve tutarlı bir termal ve kimyasal ortam sağlayarak, reseptörlerimiz yüksek oranda tekrarlanabilir süreçlere olanak tanır. Bu tutarlılık, güvenilir yarı iletken cihazların büyük ölçekli üretimi için temel önem taşır.
Semixlab olarak, yarı iletken sektörüne birinci sınıf bileşenler ve benzersiz Özelleştirme hizmeti sunmaya kararlıyız. SiC kaplamalı grafit susceptörlerimiz için kapsamlı özel tasarım ve üretim hizmeti sunuyoruz. Mühendislik ekibimiz, ekipman özelliklerinize ve benzersiz süreç gereksinimlerinize mükemmel şekilde uyan bir susceptör oluşturmak için sizinle iş birliği yapabilir.
Özellikler
| CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri | |
| Varlığınızı | Tipik değer |
| Kristal yapı | FCC β fazı polikristalin, esas olarak (111) yönelimli |
| Yoğunluk | 3.21 g / cm³ |
| Sertlik | 2500 Vickers sertliği (500g yük) |
| Tane büyüklüğü | 2 ~ 10μm |
| Kimyasal Saflık | 99.99995% |
| Isı kapasitesi | 640 J · kg-1· K-1 |
| Süblimleşme Sıcaklığı | 2700 ℃ |
| Bükülme mukavemeti | 415 MPa RT 4 nokta |
| Young Modülü | 430 Gpa 4pt dirsek, 1300℃ |
| Termal iletkenlik | 300W·m-1· K-1 |
| Termal Genleşme (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Hizmetlerimiz

Semixlab Ürün Mağazası


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




